4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21240HR6
Figure 2. MRF5P21240HR6 Test Circuit Component Layout
MRF5P21240 Rev. 5
CUT OUT AREA
C17
C15
C13
C9
C18
C16
C14C10
R3 C6
B2 R2
R4
C5
B1 R1
C1
C2
C4
C3
C20
C19
C22
C12
C8
C27
C28
C21
C26
C11
C7
C25
C23
C24
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料
MRF5S19060MR1 MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4
MRF5S19060NBR1 MOSFET N-CH 12W 28V TO-272-4
MRF5S19090HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 18W NI-780S
MRF5S19100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780S
MRF5S19130HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S
MRF5S19150HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
MRF5S21045MR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
MRF5S21045NR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
相关代理商/技术参数
MRF5P21240R6 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5S18060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF5S18060NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S18060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19060MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19060MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 12W TO-270-4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF5S19060NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19060NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 60W 28V TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray